[電子學] 把BJT當Diode

在上圖中，兩個BJT從地往上拉了兩倍，假設 = 0.7V，總共就可以將電壓拉高1.4V。

[電子學] MOSFET的Channel Length Modulation

趁著休息的時間，記錄一下MOSFET中的高階效應。
Channel Length Modulation即為MOSFET中的Early Effect。MOSFET在Saturation區可以作為電流源，然而由於Channel長度跟Drain端與Source端的電壓差有關，造成Drain跟Source電流也會跟著改變：

由於Body跟Source接在一起，所以當加大，Drain端跟P-substrate之間的空乏區會加大(因為逆偏)。所以造成通道長度下降，因此數值加大，於是造成提高。因此I-V特性線通過pinch off point時，並非水平線：