2011年8月16日 星期二

[電子學] MOSFET的Channel Length Modulation

趁著休息的時間,記錄一下MOSFET中的高階效應。
Channel Length Modulation即為MOSFET中的Early Effect。MOSFET在Saturation區可以作為電流源,然而由於Channel長度跟Drain端與Source端的電壓差有關,造成Drain跟Source電流也會跟著改變:
clip_image002[4]
由於Body跟Source接在一起,所以當clip_image002[6]加大,Drain端跟P-substrate之間的空乏區會加大(因為逆偏)。所以造成通道長度下降,因此clip_image002[10]數值加大,於是造成clip_image002[12]提高。因此I-V特性線通過pinch off point時,並非水平線:
early effect

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